硅基單片集成100Gb/s光收發模塊 - 北京協同創新研究院
新聞動態 | 黨群建設 | 聯系我們
首頁 / / 硅基單片集成100Gb/s光收發模塊
硅基單片集成100Gb/s光收發模塊

       硅基光電集成充分利用硅基微電子成熟的工藝技術、具有高密度集成、價格低廉以及光子極高帶寬、超快傳輸速率和高抗干擾性等優勢,已經成為了信息技術發展的必然和業界的普遍共識。國外發達國家和幾個大的IT公司都把硅基光電集成作為信息技術領域的關鍵技術給予支持。最近幾年,硅基光電集成技術發展很快,新技術新器件層出不窮,有關硅的各種傳統觀念被新的實驗結果一一打破。2005年Intel公司和加州大學聯合研制成功了世界上首個電泵浦連續激射硅基III-V族混合集成激光器。2007年Intel公司將硅基電光調制器的3dB帶寬擴展到30GHz,實現了40Gb/s的信號調制。2008年,Intel公司又在Nature上報道了340GHz增益帶寬的鍺硅雪崩二極管,達到商用的III-V族化合物探測器的水平。

       北京大學硅基光電子及系統研究小組在國內首次采用片外偏振復用的方式實現了100Gb/s PDM-QPSK調制,并進行了100km傳輸。在現階段實現基本功能的基礎上,正在向著更低損耗、更低功耗、更小尺寸、更高速率發展。項目首次實現100Gb/s PDM-QPSK相干接收機,在約16dB光信噪比下即可以實現3.8×10-3誤碼率,該水平處于世界領先地位。高的靈敏度、低的誤碼率、大的數據傳輸速率是未來光纖通信系統對接收機的要求。項目小組應用此技術與中興公司合作設計了滿足商用100Gb/s相干通信系統指標要求的硅基調制器。

undefined

JBO 竞博| JBO竞博| JBO| JBO竞博| JBO竞博| 竞博体育| 电竞竞博| 电竞竞博| 竞博电竞| 竞博88| JBO官网| 竞博体育| 竞博88| 竞博JBO|